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更新時間:2023-11-12
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品牌 | 何亦 | 產(chǎn)品英文名稱 | PIPS |
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測量物質(zhì) | 其他 | 儀器類型 | 便攜 |
靈敏度 | 分辨率0.40% | 測量范圍 | α、β、γ/X、n核輻射測量 |
測量類型 | 1 | 探測器類型 | 中子 |
儀器種類 | 計量/劑量率儀 |
SP-D20-R14半導(dǎo)體及中子探測器
SP-D20-R14半導(dǎo)體及中子探測器系列一
一、PIPS半導(dǎo)體探測器
PIPS半導(dǎo)體探測器外觀圖
AB系列的PIPS探測器測量226Ra-α源能譜
(型號:SP-D20-R14,靈敏直徑20mm,真空避光下測量,50V偏壓,jia能量分辨率0.40%)
一、系列產(chǎn)品簡介
采用鈍化、離子注入與平面光刻等多種先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)相結(jié)合,經(jīng)過攻克鈍化保護(hù)、離子注入、低漏電流、大面積、高能量分辨率、環(huán)境光下使用等難題后,成功開發(fā)出用于α和β粒子的能譜和計數(shù)測量的高性能PIPS探測器。
二、 產(chǎn)品特點
1) 超薄死層(入射窗),表面鈍化處理,穩(wěn)定性好;離子注入結(jié),堅固可靠;
2) 漏電流低,噪聲低,幾何探測效率高,β探測效率高;
3) 可在真空環(huán)境下使用中,AB系列探測器的α能量分辨率高;
4) CAM系統(tǒng)探測器表面可沖洗、可擦拭。特殊定制可經(jīng)350℃高溫烘烤。
技術(shù)指標(biāo):
靈敏直徑20mm,真空避光下測量,50V偏壓,jia能量分辨率0.40%
二、SiC半導(dǎo)體探測器
圖1. SiC半導(dǎo)體探測器外形圖
圖2. SiC探測器測量241Am-α粒子能譜
(型號:SiC-CB10-20P,靈敏面積100mm2,真空閉光下測量,偏壓50V,能量分辨率0.95%)
一、系列一產(chǎn)品簡介
SiC探測器在抗高溫、抗輻射以及耐高擊穿電壓等方面的性能非常*,SiC探測器可用于α、β、γ/X、n核輻射測量,廣泛應(yīng)用于核能、電子、航天等領(lǐng)域。
二、 產(chǎn)品特點
1) α能量分辨率高(≤1%@5.48MeV),極低漏電流(≤10nA/cm2)
2) 耐高溫(烘烤溫度≤350℃)耐輻照(快中子≥1E14/cm2)
三、ZZSO中子探測器
圖1. ZZSO中子探測器n-γ響應(yīng)能譜
系列一產(chǎn)品簡介
ZZSO中子探測器具有熱中子探測效率高、快慢中子響應(yīng)、伽馬甄別能力強(qiáng)、時間響應(yīng)快、輸出幅度大、噪聲低等優(yōu)點,各種規(guī)格的ZZSO探測器可用于中子個人劑量計、中子報警儀、中子巡測儀、中子當(dāng)量劑量儀等核儀器儀表。
產(chǎn)品特點
1) 熱中子探測效率高,快慢中子同時測量,中子伽馬同時測量
2) 靈敏度高,時間響應(yīng),中子-伽馬串?dāng)_率低
3) 先進(jìn)穩(wěn)可靠性,集成度高,功耗低